उच्च स्तरीय सामग्री मैग्नीशियम इनकोट
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उच्च स्तरीय सामग्री मैग्नीशियम इनकोट

मैग्नीशियम इनकॉट्स प्रोसेस्ड मेटालिक मैग्नीशियम से प्राप्त एक प्रकार का इनगोट धातु है, जिसमें एक बहुत ही उच्च मैग्नीशियम सामग्री . होती है
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उत्पाद का परिचय

उत्पाद विवरण

 

A मैग्नीशियमकास्टिंग गैस संरक्षण उपकरण में एक मोल्ड प्री-चार्जिंग गैस पाइप, चार्जिंग पाइप, वायवीय घटक, नियंत्रण प्रणाली, सोलेनॉइड वाल्व, वाल्व को विनियमित करना, सुरक्षात्मक गैस फिटिंग, स्टील प्लेट, कास्टिंग सुरक्षात्मक नोजल, विनियमन वाल्व, आकार के मैग्नीशियम इनकोट सुरक्षात्मक पाइप, विनियमन वाल्व, और सुरक्षात्मक गैस पाइपलाइन को शामिल करना शामिल है; मैग्नीशियम इंगॉट कास्टिंग के शुरू होने से पहले और पहले और नोजल को नियंत्रित करने वाले वाल्व, सोलनॉइड वाल्व, और नोजल को नियंत्रित करके, यह कास्टिंग के दौरान मैग्नीशियम के इनगोट्स की सतह जलने जैसे मुद्दों को संबोधित करता है, जिससे मैग्नीशियम इनटोट क्वालिटी . का अनुपालन हो सकता है।

 

उत्पाद पैरामीटर

तत्वों सामग्री सीमा तत्वों सामग्री सीमा
फ़े <2 ppm एम.एन. <3 ppm
साई <1 ppm ती <1 ppm
नी <6 ppm पंजाब <40 ppm
घन <2 ppm एस.एन. <1 ppm
एएल <1 ppm एक प्रकार का <43 ppm

 

उत्पाद सहयोग चित्र

Many kinds of silicon mental

 

1.गैर-पिघलने वाले घने धातु को तैयार करने के लिए एक उपकरण और विधिमैग्नीशियम गेनक, डिवाइस में एक तापमान नियंत्रण उपकरण, तापमान नियंत्रण उपकरण के भीतर एक कंडेनसर, कंडेनसर के अंदर एक क्रिस्टलीकरण कलेक्टर, और क्रिस्टलीकरण कलेक्टर के पीछे के छोर पर एक अवशिष्ट गैस कलेक्टर शामिल है . कंडेनसर एक बाहरी हीटिंग घटक के साथ एक पहला संघनन खंड और एक ठंडा घटक के साथ एक दूसरा संक्षेपण अनुभाग होता है; यह विधि मैग्नीशियम वाष्प के संग्रह को प्राप्त करती है और कूलिंग के दो चरणों के माध्यम से अशुद्धियों पर कब्जा कर लेती है, सिस्टम वैक्यूम के साथ 0 . 110 पीए पर नियंत्रित किया जाता है, 660-710 डिग्री के साथ {}}} के साथ क्रिस्टलीकरण संग्रह का तापमान, {} 3} डिग्री के साथ, {}} { क्रिस्टलीकरण कलेक्टर और कंडेनसर की दीवार। एक तरफ, उच्च तापमान के बयान से क्रिस्टलीकरण की घनत्व और शुद्धता में सुधार होता है, जबकि दूसरी ओर, कंडेनसर दीवार और क्रिस्टलीकरण कलेक्टर के अंतिम चेहरे के बीच तापमान का अंतर क्रिस्टलीकरण इंगॉट को आकार देने में सक्षम बनाता है और दीवार-मुक्त विकास को बढ़ावा देता है; इसके अलावा, उच्च दीवार का तापमान क्रिस्टलीकरण इंगॉट की सतह पर क्रिस्टलीकरण इकाइयों के बीच अंतराल के पिघलने की सुविधा प्रदान करता है, जिससे ऑक्सीकरण और नाइट्रेशन के लिए मैग्नीशियम इंगॉट के प्रतिरोध को बढ़ाता है।

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