मोटे सिलिकॉन कार्बाइड
सिलिकॉन कार्बाइड 100 ग्रिट विवरण
SiC द्वारा प्रस्तुत तीसरी {{0}पीढ़ी के सेमीकंडक्टर उच्च{{1}पावर के इलेक्ट्रॉनिक उपकरण पावर इलेक्ट्रॉनिक्स के क्षेत्र में सबसे तेजी से बढ़ते पावर सेमीकंडक्टर उपकरणों में से एक है।
सेमीकंडक्टर सामग्रियों की तीसरी पीढ़ी के एक विशिष्ट प्रतिनिधि के रूप में सिलिकॉन कार्बाइड, लेकिन सबसे परिपक्व क्रिस्टल उत्पादन तकनीक और डिवाइस निर्माण स्तर, सबसे व्यापक रूप से उपयोग किए जाने वाले व्यापक बैंडविड्थ सेमीकंडक्टर सामग्रियों में से एक, ने एक वैश्विक सामग्री, उपकरण और अनुप्रयोग उद्योग श्रृंखला का गठन किया है। यह उच्च-तापमान, उच्च{{2}आवृत्ति, विकिरण{{3}प्रतिरोधी और उच्च{{4}शक्ति) अनुप्रयोगों के लिए एक आदर्श अर्धचालक सामग्री है।
सिलिकॉन कार्बाइड उत्पाद विशिष्टता
सिलिकॉन कार्बाइड उत्पाद आपूर्तिकर्ता-जेनएन इंटरनेशनल
| विशिष्ट रासायनिक विश्लेषण | |
| सिक | 99.05% |
| SiO2 | 0.20% |
| एफ,सी | 0.03% |
| Fe2O3 | 0.10% |
| F.C | 0.04% |
| विशिष्ट भौतिक गुण | |
| कठोरता: | मोहः9.5 |
| गलनांक: | 2600 डिग्री पर उदात्त |
| अधिकतम सेवा तापमान: | 1900 डिग्री |
| विशिष्ट गुरुत्व: | 3.2 ग्राम/सेमी³ |
| थोक घनत्व (एलपीडी): | 1.2-1.6 ग्राम/सेमी3 |
| रंग: | हरा |
| कण आकार: | षटकोणीय |
सिलिकॉन कार्बाइड 100 ग्रिट निर्माता-जेनएन इंटरनेशनल

SiC पाउडर आपूर्तिकर्ता-ZhenAn

यांत्रिक विशेषताएं:उच्च कठोरता (3000 किग्रा/मिमी² की केजेल्डहल कठोरता), माणिक को काट सकती है; उच्च पहनने का प्रतिरोध, हीरे के बाद दूसरा।
थर्मल विशेषताएं:तापीय चालकता धात्विक तांबे से अधिक है, Si से 3 गुना और GaAs से 8 से 10 गुना, अच्छा ताप अपव्यय, उच्च शक्ति उपकरणों के लिए बहुत महत्वपूर्ण है।
रासायनिक गुण:संक्षारण प्रतिरोध बहुत मजबूत है, कमरे के तापमान पर लगभग किसी भी ज्ञात संक्षारक एजेंट का विरोध कर सकता है। SiO2 की एक पतली परत उत्पन्न करने के लिए SiC सतह का आसान ऑक्सीकरण, इसके आगे ऑक्सीकरण को रोक सकता है, 1700 डिग्री से अधिक में, ऑक्साइड फिल्म की यह परत पिघलती है और तेजी से ऑक्सीकरण प्रतिक्रिया करती है। SiC को पिघले हुए ऑक्सीकरण एजेंट सामग्री में घोला जा सकता है।
विद्युत गुण:4H-SiC और 6H{3}}SiC बैंड गैप Si का लगभग 3 गुना, GaAs का 2 गुना है; इसके विखंडन विद्युत क्षेत्र की ताकत Si की तुलना में अधिक परिमाण का एक क्रम है, और संतृप्ति इलेक्ट्रॉन बहाव दर Si . 4H {{8}SiC की तुलना में 2.5 गुना अधिक है, इसका बैंड गैप 6H{10}}SiC से अधिक है।
36 ग्रिट सिलिकॉन कार्बाइड ग्राहक यात्रा तस्वीरें

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न
प्रश्न: क्या कीमत परक्राम्य है?
उत्तर: हाँ, यदि आपके कोई प्रश्न हों तो कृपया बेझिझक हमसे किसी भी समय संपर्क करें। और जो ग्राहक बाज़ार का विस्तार करना चाहते हैं, हम उनका समर्थन करने की पूरी कोशिश करेंगे।
प्रश्न: क्या आप निःशुल्क नमूने प्रदान कर सकते हैं?
उत्तर: हां, हम गुणवत्ता की जांच करने या रासायनिक विश्लेषण करने के लिए ग्राहकों को मुफ्त नमूने प्रदान कर सकते हैं, लेकिन कृपया हमें सही नमूने तैयार करने के लिए विस्तृत आवश्यकताएं बताएं।
प्रश्न: आप सामान कब वितरित कर सकते हैं?
A: आमतौर पर, हम उन्नत भुगतान या मूल एल/सी प्राप्त होने के 15-20 दिनों के भीतर सामान वितरित कर सकते हैं।
प्रश्न: क्या आप एसजीएस या किसी अन्य तृतीय पक्ष निरीक्षण द्वारा जारी परीक्षण रिपोर्ट प्रदान कर सकते हैं?
उत्तर: हाँ, यदि ग्राहक तृतीय पक्ष परीक्षण रिपोर्ट का अनुरोध करते हैं तो हम ऐसा कर सकते हैं।
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